מספר מוצר של יצרן:

IXFT58N20Q TRL

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXFT58N20Q TRL-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 58A TO268

תיאור מפורט:

N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12820517

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IXFT58N20Q TRL מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Littelfuse

אריזות

-

סדרה

HiPerFET™

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

58A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

40mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 4mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

140 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3600 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

300W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-268 (IXFT)

חבילה / מארז

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

מספר מוצר בסיסי

IXFT58

מידע נוסף

שמות אחרים

IXFT58N20Q TRL-DG

IXFT58N20QTRL

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IXTT82N25P

יצרן

IXYS

כמות זמינה

0

DiGi מספר חלק

IXTT82N25P-DG

מחיר ליחידה

5.71

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

littelfuse

IXFN120N65X2

MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B

littelfuse

IXTT8P50

MOSFET P-CH 500V 8A TO268

littelfuse

IXTA44P15T-TRL

MOSFET P-CH 150V 44A TO263

littelfuse

IXFK64N60Q3

MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA